SiC Power MOS
ID Code: | 160680 |
Výrobce: | Cree |
Cena s DPH : | 683,650000 Kč |
Cena bez DPH : | 565,000000 Kč |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | CMF10120D |
Jednotka:: | ks |
Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 565,000000 Kč | 683,650000 Kč | ||
5 + | 504,000000 Kč | 609,840000 Kč | ||
13 + | 489,000000 Kč | 591,690000 Kč | ||
25 + | 458,400000 Kč | 554,664000 Kč |
Značení výrobce | CMF10120D |
Typ součástky: | SiC MOSFET Tranzistor |
Kategorie | Full SiC (MOS-BD) |
Konfigurace: | single 1*(T-BD) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Specifikace: | SiC N-Channel MOSFET |
Konstrukce: | 1*FET-BD |
Typ pouzdra: | THT |
Pouzdro [inch] : | TO-247AC_3 |
Typ materiálu: | SiC Full |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 7.2 [g] |
Typ balení: | TUBE |
Malé balení (počet jednotek): | 25 |
UDS | 1200 [V] ? Udc - definice pro součástky Udc = URRM - Dioda Udc = UDRM, URRM - Tyristor Udc = UCEO - Tranzistory Udc = Umax - |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 13 [A] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 134 [W] |
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C) | 138 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 47.1 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 928 [pF] |
Rozměry (L*W*H) [mm]: | TO-247 |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -55 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 135 [°C] |
Rth-c (tepelný odpor) | 0.82 [°C/W] ? Rth-c - definice pro různé součástky Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro Rth-c - folie plocha inch2 |
Rth-a (tepelný odpor) | 40 [°C/W] ? Rth-a - definice pro různé součástky Rth-a = Rthja pro celé pouzdro Rth-a - chladič délka L=100mm Rth-a - chladič /ks |
RM - Rozteč vývodů | 5.45 [mm] |
Počet PIN (vývodů) | 3 |
L - Délka | 20 [mm] |
W - Šířka | 15.6 [mm] |
H - Výška | 5 [mm] |
Rozměry vývodů | 1,20x0,60 [mm] |
Lv - Délka vývodů | 14.6 [mm] |