Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

QM 50DY-2H

NPN Darlington bipolární tranzistor

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
QM 50DY-2H Mitsubishi
QM 50DY-2H Mitsubishi
ks
ID Code:137537
Výrobce:Mitsubishi
Cena s DPH : 4 748,044114 Kč
Cena bez DPH : 3 924,003400 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: QM50DY-2H
Dodací lhůta výrobce: Obsolete ?

Očekávaná dodací lhůta

Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 3 924,003400 Kč4 748,044114 Kč
6 + 3 885,203400 Kč4 701,096114 Kč
12 + 3 851,103400 Kč4 659,835114 Kč
24 + 3 817,003300 Kč4 618,573993 Kč
NPN Darlington bipolární tranzistor

Základní informace:

Značení výrobceQM50DY-2H 
Dodací lhůta výrobceObsolete [wk] ?

Očekávaná dodací lhůta

Typ součástky:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN Darlington 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:Modul 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:957 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)50 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)400 [W]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)3000 [ns]
hFE current gain (max./typ.)75÷ 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.31 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? QM 50DY-2H Mitsubishi

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace