Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

QM200HA-H

NPN Darlington bipolární tranzistor

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
QM200HA-H Mitsubishi
QM200HA-H Mitsubishi
ks
ID Code:137533
Výrobce:Mitsubishi
Cena s DPH : 6 987,756050 Kč
Cena bez DPH : 5 775,005000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: QM200HA-H
Dodací lhůta výrobce: Obsolete ?

Očekávaná dodací lhůta

Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 5 775,005000 Kč6 987,756050 Kč
3 + 5 359,004700 Kč6 484,395687 Kč
10 + 4 947,004300 Kč5 985,875203 Kč
20 + 4 742,004100 Kč5 737,824961 Kč
NPN Darlington bipolární tranzistor

Základní informace:

Značení výrobceQM200HA-H 
Dodací lhůta výrobceObsolete [wk] ?

Očekávaná dodací lhůta

Typ součástky:Transistor Bipolar NPN 
KategorieBipolar NPN Darlington 
Konfigurace:single 1*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:Modul 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:462 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)200 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UCE (sat) (@25°C)2.5 [V]
Pmax s chladičem (TC=25°C)1250 [W]
hFE current gain (max./typ.)75÷ 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.1 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Potřebujete poradit ? QM200HA-H Mitsubishi

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace