Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

DIM 500XSM65-TS000

IGBT Module 6500V/500A Single, AlSiC ,

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DIM 500XSM65-TS000 Dynex Semiconductor
DIM 500XSM65-TS000 Dynex Semiconductor
ks
ID Code:171552
Výrobce:Dynex Semiconductor
Cena s DPH : 26 626,050 Kč
Cena bez DPH : 22 005,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DIM500XCM65-TS000
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Externí sklad KV (dodací doba 5÷10 dnů): 0 ks
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 22 005,000 Kč26 626,050 Kč
2 + 21 455,000 Kč25 960,550 Kč
IGBT Module 6500V/500A Single, AlSiC ,

Základní informace:

Značení výrobceDIM500XCM65-TS000 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:MODUL - X 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:singl-E 2*(T+D)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 6500 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)500 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=90÷99°C)500 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)10200 [V]
UF (maximum forward voltage)3.6 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)2.8 [V]
I2t (TC/TA=25°C)90 [1000*A2s]
Pmax s chladičem (TC=25°C)7400 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
tr (Turn-on / rise time)340 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)450 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.001 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)7000 [nC]
Cin (Input Capacitance)8000 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseALSiC 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.013 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:1100 [g]
Počet jednotek v balení:

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:DIM 400XSM65-K000 &DY 
Podobné výrobky 1:FZ500R65KE3 

Váš dotaz DIM 500XSM65-TS000

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semictrade.com, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semictrade.com

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace