Česká republika (čeština) angličtina (english) Německo (Deutsch) Rakousko (Deutsch) Švýcarsko (Deutsch) Slovensko (slovenčina) Maďarsko (magyar) Rumunsko (Română) Francie (français) Itálie (italiano) Polsko (polski) Estonsko (eesti keel) Rusko (pусский) Španělsko (español) Slovinsko (slovenščina) Chorvatsko (hrvatski) Bulharsko (български)
V košíku nemáte žádné položky

SEMiX603GB12E4p

IGBT 1200V

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
SEMiX603GB12E4p Semikron
SEMiX603GB12E4p Semikron
ks
ID Code:171772
Výrobce:Semikron
Cena s DPH : 7 291,460 Kč
Cena bez DPH : 6 026,000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: SEMiX603GB12E4p
Jednotka:: ks
množstevní slevy
PočetCena bez DPHCena s DPH
1 + 6 026,000 Kč7 291,460 Kč
3 + 5 725,000 Kč6 927,250 Kč
IGBT 1200V

Základní informace:

Značení výrobceSEMiX603GB12E4p 
Typ pouzdra:MODUL 
Pouzdro:SEMIX-3p 
KategorieIGBT Full Silicon 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA

Elektrické parametry:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)1100 [A] ?

Proud při nejnižší teplotě.
Specifikace v datasheetu.


Idc=IF (AV) - Dioda

Idc=IT (AV) - Tyristor

Idc=IC max - BJT, IGBT

Idc=ID max - Tranzistor: FET

Idc max (Tc/Ta=25°C)1100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)853 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)2.08 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

UCE (sat) (@25°C)1.8 [V]
tr (Turn-on / rise time)85 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)145 [ns]
fmax max.frequency (max./typ.)0.02 [MHz] ?

fmax - definice pro součástky


fmax = fT (BJT-transition frequency)

fmax = fmax (operation frequency)

Qg (Total Gate Charge)3450 [nC]
Cin (Input Capacitance)37500 [pF]

Materiál, barva, provedení:

Typ materiálu:Si-Silicon 

Teplotní a mechanické parametry:

Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.025 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rozměry:

Rozměry vývodů0.00 [mm]

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:350 [g]
Počet jednotek v balení:

Alternativy a náhrady

Podobné výrobky 1:FF600R12ME4 

Související zboží - SEMiX603GB12E4p

I+SEMiX3p-62x122=005W-AL I+SEMiX3p-62x122=005W-AL   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra SEMiX-3p, Econopack 3 a v rozměru 62x122mm
ID: 176038   Zn.výrobce: F05-AL2-62x122mm  
Množství [ks]1+10+
CZK/ks69,00065,000
Objednáno
Výrobce: -  
RoHS
SKYPER12_600A 1200V SKYPER12_600A 1200V   IGBT budič půlmůstků do 1200V / 15A ,Press-fit pouzdra IGBT<600A
ID: 183758   Zn.výrobce: SKYPER12press-fit600A/1200V  
Množství [ks]1+5+
CZK/ks3 046,0002 894,000
na dotaz
Výrobce: Semikron  
RoHS
SKYPER12_C600A 1200V SKYPER12_C600A 1200V   IGBT budič půlmůstků do 1200V / 15A ,Press-fit pouzdra IGBT<600A
ID: 183760   Zn.výrobce: SKYPER12press-fitC600A/1,2  
Množství [ks]1+5+
CZK/ks3 046,0002 894,000
na dotaz
Výrobce: Semikron  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Váš dotaz SEMiX603GB12E4p

Vaše jméno, příjmení, firma:*
Váš email:*
Váš telefon:*
Váš dotaz:*
Opište prosím kód:* antispam
     Více informací

pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam
Copyright © www.semictrade.com, provozováno na systému tvorba e-shopu a pronájem e-shopu Shop5.cz

© www.semictrade.com

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace