Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

DAMH160N200

MOSFET 200V / 130A Half Bridge

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
DAMH160N200 Daco Semiconductor
DAMH160N200 Daco Semiconductor
DAMH160N200 Daco Semiconductor
DAMH160N200 Daco Semiconductor
Zboží již není skladem
ID Code:183101
Výrobce:Daco Semiconductor
Cena: na dotaz
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: DAMH160N200
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
MOSFET 200V / 130A Half Bridge

Základní informace:

Značení výrobceDAMH160N200 
Typ součástky:FET Tranzistor 
KategorieFET N-Channel 
Konfigurace:Half Bridge  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:Enhancement Mode 
Konstrukce:2*FET-BD 
Počet obvodů (v pouzdře) 2 ks
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :HB-9434 
Typ materiálu:Si-Silicon 
Material BaseCu+AL2O3 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:185 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):12 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)130 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)0.9 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)440 [W]
RDS (on) 10V (UGS=10÷15V)10.3 [mΩ]
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)250 [ns]
tr (Turn-on / rise time)36 [ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)40 [ns]
f max40 [kHz]
Qg (Total Gate Charge)198 [nC]
Cin (Input Capacitance)30790 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:94x34x30 
Tmin (minimální pracovní teplota)-50 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.25 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

L - Délka 94 [mm]
W - Šířka 34 [mm]
H - Výška 30 [mm]

Související zboží - DAMH160N200

I+case 34x 94_F05-AL2 I+case 34x 94_F05-AL2   Tepelně vodivá podložka pod izol. pouzdra INT-A-PAK, SEMITRANS-2 a v rozměru 34x94mm
ID: 181711   Zn.výrobce: F05-AL2_34x94mm_SEMIPACK2  
Množství [ks]1+50+200+500+
CZK/ks45,70000042,20000036,60000033,800000
Celkem skladem: 177
Výrobce: SEMIC EU  
RoHS
Všechny ceny jsou uvedené bez DPH a neobsahují náklady na dopravu, které se dopočtou do objednávky jako samostatná položka.

Potřebujete poradit ? DAMH160N200 Daco Semiconductor

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace