IGBT 1200V
ID Code: | 183412 |
Výrobce: | Dynex Semiconductor |
Cena s DPH : | 5 065,060000 Kč |
Cena bez DPH : | 4 186,000000 Kč |
DPH: | 21 % |
Dostupnost: | na dotaz |
Celkem skladem: | 0 ks |
Značení výrobce: | TG 450HF12M1-S3A00 |
Jednotka:: | ks |
Přehled množstevních slev | Počet (ks) | Cena bez DPH | Cena s DPH | |
1 + | 4 186,000000 Kč | 5 065,060000 Kč | ||
3 + | 4 004,000000 Kč | 4 844,840000 Kč | ||
6 + | 3 640,000000 Kč | 4 404,400000 Kč | ||
12 + | 3 276,000000 Kč | 3 963,960000 Kč |
Značení výrobce | TG 450HF12M1-S3A00 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Konfigurace: | Half Bridge 1*(Phase Leg) ? Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):
|
Konstrukce: | 2*(IGBT+D) |
Počet obvodů (v pouzdře) | 2 ks |
Typ pouzdra: | Modul |
Pouzdro [inch] : | SEMiX-3p |
Typ materiálu: | Si-Silicon |
Material Base | Cu |
RoHS | Ano |
REACH | Ne |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Jednotka: | ks |
Hmotnost: | 450 [g] |
Typ balení: | BOX |
Malé balení (počet jednotek): | 10 |
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 450 [A] |
Idc max (Tc/Ta=100÷109°C) | 450 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 2500 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 1.65 [VDC] ? Testovací podmínky: |
UCE (sat) (@25°C) | 1.65 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 4600 [A2s] |
Pmax s chladičem (TC=25°C) | 2800 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 70 [ns] |
tf/tq (Turn-off / fall time) | 260 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 4600 [nC] |
Cin (Input Capacitance) | 62000 [pF] |
Rozměry (L*W*H) [mm]: | 150x62x21 |
Tmin (minimální pracovní teplota) | -40 [°C] |
Tmax (maximální pracovní teplota) | 150 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.052 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.086 [°C/W] |
L - Délka | 150 [mm] |
W - Šířka | 62 [mm] |
H - Výška | 21 [mm] |
Alternativa 1: | 185021 - DIM 450M1HS12-PB500 (DYN) |