Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

IXFN50N120SiC

SiC MOSFET 1200V / 47A Rds= 50mOhm

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
IXFN50N120SiC Ixys
IXFN50N120SiC Ixys
IXFN50N120SiC Ixys
ks
ID Code:183780
Výrobce:Ixys
Cena s DPH : 2 122,340000 Kč
Cena bez DPH : 1 754,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: IXFN50N120SiC
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 1 754,000000 Kč2 122,340000 Kč
5 + 1 654,000000 Kč2 001,340000 Kč
10 + 1 453,000000 Kč1 758,130000 Kč
20 + 1 403,000000 Kč1 697,630000 Kč
SiC MOSFET 1200V / 47A Rds= 50mOhm

Základní informace:

Značení výrobceIXFN50N120SiC 
Typ součástky:SiC MOSFET Tranzistor 
KategorieFull SiC (MOS-BD) 
Konfigurace:single 1*(T-BD)  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Specifikace:SiC Enhancement Mode MOSF 
Konstrukce:1*FET-BD 
Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SOT-227 
Typ materiálu:SiC Full 
Material BaseNo Info 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:36 [g]
Typ balení:TUBE 
Malé balení (počet jednotek):10 

Elektro-fyzikální parametry:

UDS 1200 [V] ?

Udc - definice pro součástky


Udc = URRM - Dioda

Udc = UDRM, URRM - Tyristor

Udc = UCEO - Tranzistory

Udc = Umax -

Idc max (Tc/Ta=100÷109°C)30 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)2500 [V]
UF (maximum forward voltage)5.2 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

Pmax s chladičem (TC=25°C)890 [W]
Input Logic Level (UGS level)20V 
trr max doba zotavení (If=Inom.,@25°C)26 [ns]
tr (Turn-on / rise time)[ns]
tf/tq (Turn-off / fall time)19 [ns]
Qg (Total Gate Charge)100 [nC]
Cin (Input Capacitance)1900 [pF]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:38.1*25.3*12.0 
Tmin (minimální pracovní teplota)-55 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)150 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.14 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

Rth-a (tepelný odpor)0.55 [°C/W] ?

Rth-a - definice pro různé součástky


Rth-a = Rthja pro celé pouzdro

Rth-a - chladič délka L=100mm

Rth-a - chladič /ks

RM - Rozteč vývodů15 [mm]
RM1 - Rozteč řad vývodů 12.7 [mm]
D - Ø vnější 4.1 [mm]
L - Délka 38.1 [mm]
W - Šířka 25.3 [mm]
H - Výška 12 [mm]

Alternativy a náhrady

Alternativa 1:183083 - DACMI 80N1200 (DAC) 

Potřebujete poradit ? IXFN50N120SiC Ixys

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace