Vyberte lokalitu pro doručení   Jazyk:    Měna:    
V košíku nemáte žádné položky

STD60GK18

1800V Thyristor-Diode Modules

Přílohy:
Kliknutím zvětšíte
STD60GK18 Sirectifier
STD60GK18 Sirectifier
ks
ID Code:183940
Výrobce:Sirectifier
Cena s DPH : 493,680000 Kč
Cena bez DPH : 408,000000 Kč
DPH:21 %
Dostupnost:na dotaz
Celkem skladem:0 ks
Značení výrobce: STD60GK18
Centrální sklad Zdice: 0 ks
Jednotka:: ks
Přehled množstevních slev
Počet (ks)Cena bez DPHCena s DPH
1 + 408,000000 Kč493,680000 Kč
2 + 378,600000 Kč458,106000 Kč
3 + 349,400000 Kč422,774000 Kč
6 + 305,800000 Kč370,018000 Kč
1800V Thyristor-Diode Modules

Základní informace:

Značení výrobceSTD60GK18 
KategorieThyristor+D Standard Module 
Konfigurace:serie TY+D  ?

Vyberte schema zapojení podle skupiny součástek (po otevření v novém okně):

Diody + Tyristory

Diodové můstky

Tranzistory

 

Typ pouzdra:Modul 
Pouzdro [inch] :SEMIPACK-1 
Typ materiálu:Si-Silicon 
RoHSAno 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Balení a hmotnost:

Jednotka:ks 
Hmotnost:114 [g]
Typ balení:BOX 
Malé balení (počet jednotek):

Elektro-fyzikální parametry:

IFAV / IC (Tc/Ta=25°C)100 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)60 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)3000 [V]
Uisol (@25°C/1s/50Hz)3600 [V]
UF (maximum forward voltage)1.57 [VDC] ?

Testovací podmínky:
Ta=25°C, IF=In/Imax

di/dt (critical rate of rise of on-state current)150 [A/µs]

Teplotní a mechanické parametry:

Rozměry (L*W*H) [mm]:93x21x30 
Tmin (minimální pracovní teplota)-40 [°C]
Tmax (maximální pracovní teplota)125 [°C]
Rth-c (tepelný odpor)0.225 [°C/W] ?

Rth-c - definice pro různé součástky


Rth-c = Rthjc pro celé pouzdro

Rth-c - folie plocha inch2

L - Délka 93 [mm]
W - Šířka 20 [mm]
H - Výška 30 [mm]

Potřebujete poradit ? STD60GK18 Sirectifier

Vaše jméno, příjmení, firma
Váš email
Váš telefon
Váš dotaz
     Více informací




pošlete odkaz svému známému

Vaše jméno
Váš email
e-mail Vašeho známého
Opište kod z obrázku antispam

Při poskytování služeb nám pomáhají soubory cookie. Používáním našich služeb vyjadřujete souhlas s naším používáním souboru cookie.   Další informace