IGBT Module 6500V/1000A Single, AlSiC ,
Información básica:
Fabricante de la marca | DIM1000ASM65-US000 |
Kategorie | IGBT Full Silicon |
Configuración: | single-E3*(T+D) |
Construcción: | 3*(IGBT+D) |
Número de circuitos | 3 ks |
Tipo de caso: | Modul |
Caso [inch] : | MODUL-A |
Tipo de material: | Base AlSiC |
Material: Carcasa | Si-Silicon |
RoHS | Sí |
REACH | No |
NOVINKA | N |
RoHS1 | Ano |
Embalaje y peso:
Unidad: | pcs |
Peso: | 2010.2 [g] |
Tipo de envase: | BOX |
Paquete pequeño (Número de unidades): | 2 |
Parámetros electrofísicos:
IFAV / IC (Tc/Ta=25°C) | 1000 [A] |
IF(AV) (Tc/Ta=100÷119°C) | 1000 [A] |
Uisol (@25°C/1min/50Hz) | 10200 [V] |
UF (maximum forward voltage) | 2.8 [VDC] |
UCE (sat) (@25°C) | 2.6 [V] |
I2t (TC/TA=25°C) | 400000 [A2s] |
Pd -s chladičem (Tc=25°C) | 13900 [W] |
tr (Turn-on / rise time) | 450 [ns] |
tf (turn-off=fall time) | 520 [ns] |
Qg (Total Gate Charge) | 15000 [nC] |
Parámetros térmicos y mecánicos:
Dimensiones (L*W*H) [mm]: | 190x140x48 |
Tmin (temperatura mínima de trabajo) | -40 [°C] |
Tmax (temperatura de trabajo máxima) | 125 [°C] |
Rthjc1 IGBT | 0.009 [°C/W] |
Rthjc2 Dioda, Tyristor | 0.018 [°C/W] |
L - Longitud | 190 [mm] |
W - Ancho | 140 [mm] |
H - Altura | 48 [mm] |